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参数资料
| 型号： | APTGT75DH60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | APTGT75DH60T3G |
APTGT75DH60T3G
APT
G
T
75DH60T
3G
–
Rev
0
Apr
il,
2009
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
00.5
11.522.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
25
50
75
100
125
150
IC (A)
E
(m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(
°C
/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DSK60T3 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DSK60T3 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT75DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT75DSK60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT75DU120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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