型号: | APTGT75TA60P |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | MODULE-21 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 282K |
代理商: | APTGT75TA60P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APTGU70DU60T | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APTM100DUM90 | 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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APTM100H45ST | 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APTGT75TA60PG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGT75TDU120P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module |
APTGT75TDU120PG | 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APTGT75TDU60P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
APTGT75TDU60PG | 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |