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参数资料
型号： APTGV100H60T3G
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数： 7/9页
文件大小： 372K
代理商： APTGV100H60T3G
APTGV100H60T3G
A
P
TG
V
100H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
7-9
7. Bottom switches curves
7.1 Bottom fast NPT IGBT typical performance curves
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1234
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01
2
3
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rre
nt
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01
23
45
67
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
ll
ec
to
rC
u
rre
n
t(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,
C
o
lle
ct
o
rt
o
Emi
tt
er
Vo
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=180A
Ic=90A
Ic=45A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
Em
it
te
r
Vo
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ec
tor
t
o
E
m
it
te
rB
re
ak
down
V
o
lt
ag
e(
N
o
rm
al
iz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
ll
ec
to
rC
u
rr
en
t
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,Gate
to
E
m
it
ter
V
o
lta
g
e
(V
)
IC = 90A
TJ = 25°C
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PDF描述
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参数描述
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