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参数资料
| 型号： | APTGV25H120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | APTGV25H120T3G |
APTGV25H120T3G
A
P
TG
V25H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
1-9
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Q3
11
10
Q1
CR1
7
22
13 14
CR3
3
30
29
32
18
19
23
8
15
31
R1
16
4
CR4
CR2
Q2
Q4
26
27
Top switches : Trench + Field Stop IGBT
Bottom switches : FAST NPT IGBT
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
All multiple inputs and outputs must be shorted together
13/14 ; 15/16 ; 26/27 ; 31/32
Trench & Field Stop IGBT Q1, Q3:
VCES = 1200V ; IC = 25A @ Tc = 80°C
Fast NPT IGBT Q2, Q4:
VCES = 1200V ; IC = 25A @ Tc = 80°C
Application
Solar converter
Features
Q2, Q4 (FAST Non Punch Through (NPT) IGBT)
- Switching frequency up to 50 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
Q1, Q3 (Trench & Field Stop IGBT)
- Low voltage drop
- Switching frequency up to 20 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Optimized conduction & switching losses
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal
for easy PCB mounting
Low profile
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Full - Bridge
NPT & Trench + Field Stop IGBT
Power module
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV50H60T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A18FTG | 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H120BTPG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BT3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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