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参数资料
| 型号： | APTGV25H120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | APTGV25H120T3G |
APTGV25H120T3G
A
P
TG
V25H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
8-9
VGE = 15V
50
55
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65
70
75
5
15253545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
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TJ=25°C
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TJ=125°C
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250
300
350
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5
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Turn-Off Delay Time vs Collector Current
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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,
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Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 22
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
25
30
35
40
45
50
5
1525354555
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,Fa
ll
T
im
e(n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 22
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
10
5
1525
3545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
o
n
,Tur
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O
n
E
n
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gy
Los
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J)
VCE = 600V
RG = 22
TJ = 25°C
TJ = 125°C
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1
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3
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1525
3545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Eo
ff
,Tur
n-
of
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gy
Los
s(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 22
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
1
2
3
4
5
0
1020
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Gate Resistance (Ohms)
Swi
tc
h
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g
E
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Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
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20
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400
800
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I C
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t(A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV50H60T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A18FTG | 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGV50H120BTPG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BT3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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