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参数资料
| 型号： | APTGV25H120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | APTGV25H120T3G |
APTGV25H120T3G
A
P
TG
V25H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
4-9
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1650
Coes
Output Capacitance
250
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
110
pF
Qg
Total gate Charge
160
Qge
Gate – Emitter Charge
10
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC =25A
70
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
60
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
305
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 25A
RG = 22
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
60
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
346
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 25A
RG = 22
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
3.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 25A
RG = 22
Tj = 125°C
1.5
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
0.6
°C/W
2.2 Bottom diode characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
2.6
3.1
IF = 60A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
360
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1700
nC
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
1.2
°C/W
3. Temperature sensor
NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV50H60T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A18FTG | 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H120BTPG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BT3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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