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参数资料
| 型号： | APTM100A18FT |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 43 A, 1000 V, 0.18 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | APTM100A18FT |
'DWD 6KHHW'(-9'6
AQ1 SERIES
$4$$
(/(&75,&$/ &+$5$&7(5,67,&6 7D
°°°°&
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
20 V, IE = 0
100
nA
DC current gain
hFE1 **
VCE =
2.0 V, IC = 0.1 A
200
DC current gain
hFE2 **
VCE =
2.0 V, IC = 1.0 A
150
DC current gain
hFE3 **
VCE =
2.0 V, IC = 2.0 A
50
Collector saturation voltage
VOL **
IC =
1.0 A, IC = 20 mA
0.35
0.45
V
Low level input voltage
VIL **
VCE =
5.0 V, IC = 100
A
–0.3
V
Input resistance
R1
E-to-B resistance
R2
710
13
k
3: ≤
V GXW\F\FOH ≤
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