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参数资料
| 型号： | APTM20DAM08TG |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 208 A, 200 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP4, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | APTM20DAM08TG |
APTM20DAM08TG
A
P
T
M
20D
A
M
08T
G
–
R
ev
4
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
6.5V
7V
7.5V
8V
8.5V
10V
VGS=15V
9V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
4
8
1216202428
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Dr
a
in
Cu
rr
e
n
t
(A
)
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
01
23
45
67
89 10
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,D
ra
in
C
u
rr
e
nt
(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)D
rai
n
t
o
S
o
u
rce
O
N
R
e
si
st
an
ce
Normalized to
VGS=10V @ 104A
0
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
D
ra
in
Cu
rr
e
n
t(
A
)
DC Drain Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTM20DAM08T | 208 A, 200 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM20DAM08T | 208 A, 200 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM20DHM08 | 208 A, 200 V, 0.008 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM20DHM08 | 208 A, 200 V, 0.008 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM20DHM20T | 89 A, 200 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTM20DAM10T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper MOSFET Power Module |
| APTM20DAM10TG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
| APTM20DHM08 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
| APTM20DHM08G | 功能描述:MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
| APTM20DHM10 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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