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参数资料
| 型号： | APTM60A23UT1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, 0.276 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | APTM60A23UT1G |
APTM60A23UT1G
APT
M
60A23UT
1
G
–
Rev
0
Decem
b
er
,2007
www.microsemi.com
1 – 5
1
8
7
Q1
Q2
56
3
4
11
NTC
12
9
10
2
Pins 1/2 ; 3/4 ; 5/6 must be shorted together
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VDSS
Drain - Source Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
20
ID
Continuous Drain Current
Tc = 80°C
15
IDM
Pulsed Drain current
125
A
VGS
Gate - Source Voltage
±30
V
RDSon
Drain - Source ON Resistance
276
m
Ω
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
208
W
IAR
Avalanche current (repetitive and non repetitive)
17
A
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Power MOS 8 Ultrafast FREDFETs
-
Low RDSon
-
Low input and Miller capacitance
-
Low gate charge
-
Ultrafast intrinsic reverse diode
-
Avalanche energy rated
-
Very rugged
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Phase leg
MOSFET Power Module
VDSS = 600V
RDSon = 230mΩ typ @ Tj = 25°C
ID = 20A @ Tc = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APTML202UM18R010T3AG | 109 A, 200 V, 0.019 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTML502UM90R020T3AG | 52 A, 500 V, 0.108 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APXD873.3M | MOBILE STATION ANTENNA, 5 dBi GAIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTM60H23FT1G | 功能描述:MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
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| APTMC120AM09CT3AG | 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:295A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 |
| APTMC120AM12CT3AG | 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 |
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