APTMC120AM09CT3AG

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封装
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说明
操作

APTMC120AM09CT3AG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTMC120AM09CT3AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
FET 类型
2 N 沟道（相角）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
295A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
9 毫欧 @ 200A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 40mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
644nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
11000pF @ 1000V
功率 - 最大值
1250W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
标准包装
1

APTMC120AM09CT3AG 技术参数

APTMC120AM08CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 200A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 10mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:490nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9500pF @ 1000V 功率 - 最大值:1100W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTM60H23FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM60A23FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM60A11FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10552pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM50UM25SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:149A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 74.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:364nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:J3 模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG