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参数资料
| 型号： | ARF476FL |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | ARF476FL |
050-4931
B
6-2007
Figure 5b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
SINGLE PULSE
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
FIGURE 5a, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.5
0.1
0.3
0.7
0.05
D = 0.9
ARF476FL
Table 1 - Typical Series Equivalent Large Signal Input - Output Impedance
Freq. (MHz)
Zin () gate to gate
Z
OL () drain - drain
30
60
90
120
150
5.2 -j10
1.37 -j5.2
.53 -j2.6
.25 -j1.0
.25 +j0.2
41 -j20
26 -j25
16 -j23
10 -j20
6.7 -j17
Zin - Gate -gate shunted with 25 IDQ = 15mA each side
Z
OL -
Conjugate of optimum load for 600 Watts peak output at Vdd = 150V
25% duty cycle and PW = 5ms
0.0755
0.0893
0.0135F
0.161F
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink, sink to
ambient, etc. Set to zero when modeling
only the case to junction.
Z
EXT
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PDF描述 |
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