参数资料
| 型号： | AS1359-BTTT-33 |
| 厂商： | ams |
| 文件页数： | 11/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 3.3V .3A TSOT23-5 |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 3.3V |
| 输入电压： | 最高 5.5V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.14V @ 300mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 300mA（最小） |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSOT-23-5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AS1359-BTTT-33DKR |
AS1358 / AS1359
Datasheet - A p p l i c a t i o n I n f o r m a t i o n
9.3 Power Dissipation
Maximum power dissipation (PD) of the LDO is the sum of the power dissipated by the internal series MOSFET and the quiescent current
required to bias the internal voltage reference and the internal error amplifier, and is calculated as:
PD ? MAX ? ? Seriespass ? = I LOAD ? MAX ? ? V IN ? MAX ? – V OUT ? MIN ? ? Watts
Internal power dissipation as a result of the bias current for the internal voltage reference and the error amplifier is calculated as:
PD ? MAX ? ? Bias ? = V IN ? MAX ? I Q Watts
Total LDO power dissipation is calculated as:
PD ? MAX ? ? Total ? = PD ? MAX ? ? Seriespass ? + PD ? MAX ? ? Bias ? Watts
(EQ 3)
(EQ 4)
(EQ 5)
9.4 Junction Temperature
Under all operating conditions, the maximum junction temperature should not be allowed to exceed 125oC (unless the data sheet specifically
allows). Limiting the maximum junction temperature requires knowledge of the heat path from junction to case ( ? JC oC/W fixed by the IC
manufacturer), and adjustment of the case to ambient heat path ( ? CA oC/W) by manipulation of the PCB copper area adjacent to the IC position.
Figure 20. Package Physical Arrangements
SOTxx Package
Package
Lead Frame
PCB
Figure 21. Steady State Heat Flow Equivalent Circuit
Chip
Bond Wire
Junction
T J °C
R ? JC
Package
T C °C
R ? CS
PCB/Heatsink
T S °C
R ? SA
Ambient
T A °C
Chip
Power
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Revision 1.5
10 - 16
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