| 型号： | AS4PM-M3/87A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 83K |
| 描述： | DIODE STD 4A 1000V SMPC |
| 标准包装： | 6,500 |
| 系列： | eSMP™ |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2.4A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 962mV @ 2A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商设备封装： | TO-277A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TARS106M025 | CAP TANT 10UF 25V 20% AXIAL |
| AS4PK-M3/87A | DIODE STD 4A 800V SMPC |
| REC3-243.3DRWZ/H4/C | CONV DC/DC 3W 9-36VIN +/-3.3VOUT |
| REC3-243.3DRWZ/H4/A | CONV DC/DC 3W 9-36VIN +/-3.3VOUT |
| ASPI-0630LR-R68M-T15 | INDUCTOR POWER 0.68UH 0630 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AS4SD16M16 | 制造商:AUSTIN 制造商全称:Austin Semiconductor 功能描述:256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory |
| AS4SD16M16_09 | 制造商:AUSTIN 制造商全称:Austin Semiconductor 功能描述:256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory |
| AS4SD16M16DG-75 | 制造商:AUSTIN 制造商全称:Austin Semiconductor 功能描述:256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory |
| AS4SD16M16DG-75/ET | 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,256MB - Trays |
| AS4SD16M16DG-75/IT | 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,256MB - Trays |