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参数资料
型号： AS4PM-M3/87A
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 3/3页
文件大小： 83K
描述： DIODE STD 4A 1000V SMPC
标准包装： 6,500
系列： eSMP™
二极管类型： 雪崩
电压 - (Vr)（最大）： 1000V（1kV）
电流 - 平均整流 (Io)： 2.4A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 962mV @ 2A
速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 10µA @ 1000V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN
供应商设备封装： TO-277A
包装： 带卷 (TR)
VFSHAY. _ 7 WWw'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cunvEs (TA = 25 cc unless otherwise noted)
4'5 ---- ‘G00
4'0 ---- 2 EA 3.5 E m0
$ ---- I g
E 3.0 S: w 10
3 25 2
O ' — 2] I g2 2.0 §
5 I §— II 2 1Eg 1'0 ‘E 0.1 1
E 1'5 2 IE I g
TM Measured $ 2
0'5 at the cathode Band Terminal - E Z
0 Um ----0 25 50 75 100 125 150 175 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Mount Temperature (“C) Percent of Rated Peak Reverse Voltage (‘7/n)
Fig. 1 - Max. Forward Current Derating Curve Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
1 00010010
Average Power Loss (W)
Junction Capacitance (pF)
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
Average Forward Current (A) Reverse Voltage (V)
Fig. 2 - FonNard Power Loss Characteristics Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
100S5llS|| “0
_______ui%======
----numm----
_’.. -?E_W ImmuIIIIII
instantaneous Forward Current (A)
Transient Thermal impedance (“C/W)
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5
instantaneous Forward voltage (V) t- Pulse Duration (s)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Revision: 14?Aug-13 3 Document Number: 88770
For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.visnay.oom/doc?91000
相关PDF资料
PDF描述
TARS106M025 CAP TANT 10UF 25V 20% AXIAL
AS4PK-M3/87A DIODE STD 4A 800V SMPC
REC3-243.3DRWZ/H4/C CONV DC/DC 3W 9-36VIN +/-3.3VOUT
REC3-243.3DRWZ/H4/A CONV DC/DC 3W 9-36VIN +/-3.3VOUT
ASPI-0630LR-R68M-T15 INDUCTOR POWER 0.68UH 0630 SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
AS4SD16M16 制造商:AUSTIN 制造商全称:Austin Semiconductor 功能描述:256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD16M16_09 制造商:AUSTIN 制造商全称:Austin Semiconductor 功能描述:256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD16M16DG-75 制造商:AUSTIN 制造商全称:Austin Semiconductor 功能描述:256 MB: 16 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD16M16DG-75/ET 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,256MB - Trays
AS4SD16M16DG-75/IT 制造商:Micross Components 功能描述:SDRAM-SDR,256MB - Trays
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