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参数资料
| 型号： | AS7C3256A-8TCN |
| 厂商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O) |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO28 |
| 封装： | 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | AS7C3256A-8TCN |
March 2005
Preliminary Information
Copyright Alliance Semiconductor. All rights reserved.
AS7C3256A-8
3/22/05; v.1.0
Alliance Semiconductor
P. 1 of 9
3.3V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O)
Features
Organization: 32,768 words × 8 bits
High speed
- 8 ns address access time
- 5 ns output enable access time
Very low power consumption: ACTIVE
- 216mW max @ 8 ns
Very low power consumption: STANDBY
- 7.2 mW max CMOS I/O
Easy memory expansion with
CE
and
OE
inputs
TTL-compatible, three-state I/O
28-pin JEDEC standard packages
- 300 mil SOJ
- 8
×
13.4 mm TSOP 1
ESD protection
≥
2000 volts
Latch-up current
≥
200 mA
Logic block diagram
A
9
A
8
256 X 128 X 8
Array
(262,144)
Input buffer
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I/O0
I/O7
V
CC
GND
OE
CE
WE
Column decoder
R
Control
circuit
S
Pin arrangement
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A7
A8
A9
A11
OE
A2
AS7C3256A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
A
28-pin TSOP 1 (8×13.4 mm)
28-pin SOJ (300 mil)
Selection guide
-8
Unit
Maximum address access time
Maximum output enable access time
8
5
ns
ns
Maximum operating current
60
mA
Maximum CMOS standby current
2
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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