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参数资料
| 型号： | AT-32063-BLK |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 6 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | AT-32063-BLK |
2
AT-32063 Absolute Maximum Ratings[1]
Absolute
Symbol
Parameter
Units
Maximum
V
EBO
Emitter-Base Voltage
V
1.5
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
11
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
5.5
I
C
Collector Current
mA
32
P
T
Power Dissipation [2,3]
mW
150
T
j
Junction Temperature
°C
150
T
STG
Storage Temperature
°C
-65 to 150
Thermal Resistance[2]:
θjc = 370°C/W
Notes:
1. Permanent damage may occur if
any of these limits are exceeded.
2. TMounting Surface = 25°C.
3. Derate at 2.7 mW/
°C for TC > 94.5°C.
4. 150 mW per device.
Electrical Specifications, T
A = 25
°C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min.
Typ.
Max.
NF
Noise Figure; V
CE = 2.7 V, IC = 5 mA
f = 0.9 GHz
dB
1.1[2]
1.4[2]
G
A
Associated Gain; V
CE = 2.7 V, IC = 5 mA
f = 0.9 GHz
dB
12.5[2]
14.5[2]
h
FE
Forward Current Transfer Ratio; V
CE = 2.7 V, IC = 5 mA
—
50
270
I
CBO
Collector Cutoff Current; V
CB = 3 V
A
0.2
I
EBO
Noise Figure; V
EB = 1 V
A
1.5
Notes:
1. All data is per individual transistor.
2. Test circuit, Figure 1. Numbers reflect device performance de-embedded from circuit losses. Input loss = 0.2 dB;
output loss = 0.3 dB.
W = 20
L = 60
W = 10
L = 450
W = 10
L = 100
TEST CIRCUIT
BOARD MATERIAL = 0.047 GETEK (
ε = 4.3)
DIMENSIONS IN MILS
NOT TO SCALE
50
50
Figure 1. Test circuit for Noise Figure and Associated Gain.
This circuit is a compromise match between best noise figure, best gain,
stability, and a practical synthesizable match.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-32063-TR1G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32063-TR2 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32063-TR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-33225-TR1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-33225-BLK | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-32063-BLKG | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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| AT-32063-TR1G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT-32063-TR2G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT3210 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:AT3210 - 16 GrayScales 160x160 STN Controller |
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