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参数资料
| 型号： | AT-32063-BLK |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | AT-32063-BLK |
3
AT-32063 Characterization Information, T
A = 25
°C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Typ.
P
1 dB
Power at 1 dB Gain Compression (opt tuning); V
CE = 2.7 V, IC = 20 mA
f = 0.9 GHz
dBm
12
G
1 dB
Gain at 1 dB Gain Compression (opt tuning); V
CE = 2.7 V, IC = 20 mA
f = 0.9 GHz
dB
16
IP
3
Output Third Order Intercept Point (opt tuning); V
CE = 2.7 V, IC = 20 mA
f = 0.9 GHz
dBm
24
Typical Performance, T
A = 25
°C
0
0.50
1.00
2.00
1.50
0.9
1.8
2.4
NOISE
FIGURE
(dB)
FREQUENCY (GHz)
Figure 2. Minimum Noise Figure vs.
Frequency and Current at VCE = 2.7 V.
2.7V/2 mA
2.7V/5 mA
2.7V/20 mA
0
5.0
10.0
20.0
15.0
0.9
1.8
2.4
Ga
(dB)
FREQUENCY (GHz)
Figure 3. Associated Gain at
Optimum Noise Match vs. Frequency
and Current at VCE = 2.7 V.
2.7V/2 mA
2.7V/5 mA
2.7V/20 mA
10
11
12
15
13
14
0.9
1.8
2.4
P
1
dB
(dBm)
FREQUENCY (GHz)
Figure 4. Power at 1 dB Gain
Compression vs. Frequency at
VCE = 2.7 V and IC = 20 mA.
0
5
10
15
25
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IP
3
(dBm)
FREQUENCY (GHz)
Figure 6. Third Order Intercept vs.
Frequency and Bias at VCE = 2.7 V, with
Optimal Tuning.
2 mA
5 mA
10 mA
20 mA
0
3
6
18
15
9
12
0.9
1.8
2.4
G1
dB
(dBm)
FREQUENCY (GHz)
Figure 5. 1 dB Compressed Gain vs.
Frequency at VCE = 2.7 V and
IC =20mA.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-32063-TR1G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32063-TR2 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-32063-TR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-33225-TR1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-33225-BLK | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-32063-BLKG | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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