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参数资料
| 型号： | AT-41532 |
| 英文描述： | General purpose transistor |
| 中文描述： | 通用晶体管 |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | AT-41532 |
9
AT-41532 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.5
0.402
-98
17.27
7.303
0.75
0.304
-124
14.42
5.260
1.0
0.255
-147
12.25
4.095
1.5
0.225
178
9.09
2.848
2.0
0.227
151
6.92
2.218
3.0
0.256
111
4.06
1.596
4.0
0.301
79
2.22
1.291
5.0
0.359
53
0.92
1.111
6.0
0.414
36
-0.02
0.997
7.0
0.457
22
-0.60
0.933
8.0
0.496
10
-1.00
0.891
9.0
0.531
-4
-1.42
0.849
10.0
0.573
-19
-1.89
0.805
11.0
0.633
-28
-2.40
0.759
12.0
0.696
-38
-3.32
0.682
S
12
Mag
0.044
0.056
0.069
0.097
0.131
0.214
0.319
0.443
0.577
0.711
0.809
0.854
0.847
0.792
0.739
S
22
Ang
107
92
82
65
52
28
dB
-27.15
-25.04
-23.26
-20.23
-17.66
-13.38
-9.92
-7.07
-4.78
-2.97
-1.84
-1.37
-1.44
-2.03
-2.63
Ang
60
61
63
66
65
59
48
33
16
-4
-26
-49
-69
-88
-105
Mag
0.713
0.663
0.640
0.621
0.613
0.603
0.592
0.562
0.498
0.401
0.344
0.374
0.441
0.516
0.624
Ang
-19
-21
-23
-28
-34
-51
-69
-92
-120
-156
154
105
67
38
8
-10
-26
-40
-55
-70
-85
-95
-113
8
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.29
0.41
0.44
0.53
0.60
0.67
0.71
Ang
110
-167
-153
-127
-106
-86
-70
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.1
1.4
1.5
1.7
1.9
2.2
2.4
7.0
3.9
4.7
9.3
18.6
36.8
59.5
14.8
11.3
10.5
9.3
8.4
7.5
6.7
Figure 14. Gain vs. Frequency at
5 V, 5 mA.
Note: dB( |S
21
| = 20*log( |S
21
|
Γ
opt
gmax
dB(S|2,1|)
k
-5
25
15
20
5
0
10
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.2
0.8
1
0.2
0.4
0.6
k
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
( k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
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PDF描述 |
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参数描述 |
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