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参数资料
| 型号： | AT-41533-TR1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | AT-41533-TR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-41533-BLK | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-BLKG | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-BLK | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-TR1G | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-TR1 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-41533-TR1G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT-41533-TR2G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT-41535 | 制造商:AVAGO 制造商全称:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor |
| AT-41535G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT-415-6 | 制造商:NKK Switches 功能描述:Bulk |
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