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参数资料
| 型号： | AT-42085 |
| 英文描述： | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Chip(高达6 GHz中等功率硅双极型晶体管) |
| 中文描述： | 到6 GHz中等功率硅双极晶体管芯片（高达6 GHz的中等功率硅双极型晶体管） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | AT-42085 |
4
AT-42085 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA
Freq.
S
11
GHz
Mag.
Ang.
0.1
.72
-50
0.5
.66
-139
1.0
.65
-168
1.5
.65
175
2.0
.65
163
2.5
.66
157
3.0
.68
149
3.5
.68
141
4.0
.69
133
4.5
.69
125
5.0
.69
114
5.5
.71
103
6.0
.75
91
S
21
Mag.
26.52
11.23
5.96
4.06
3.06
2.51
2.07
1.79
1.57
1.41
1.28
1.17
1.07
S
12
Mag.
.014
.035
.037
.045
.054
.063
.072
.085
.104
.119
.139
.161
.177
S
22
dB
28.5
21.0
15.5
12.2
9.7
8.0
6.3
5.1
3.9
3.0
2.2
1.4
0.6
Ang.
152
103
84
71
60
55
46
38
29
21
12
3
-6
dB
-37.0
-29.2
-28.6
-27.0
-25.3
-24.0
-22.8
-21.4
-19.7
-18.5
-17.1
-15.9
-15.1
Ang.
73
36
39
46
51
60
65
64
64
63
58
55
49
Mag.
.90
.53
.45
.43
.42
.42
.41
.43
.45
.46
.47
.44
.40
Ang.
-16
-32
-33
-36
-41
-42
-48
-55
-61
-66
-71
-76
-85
AT-42085 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, T
A
= 25
°
C, V
CE
= 8 V, I
C
= 35 mA
Freq.
S
11
GHz
Mag.
Ang.
0.1
.54
-90
0.5
.61
-163
1.0
.61
178
1.5
.62
167
2.0
.63
156
2.5
.64
152
3.0
.66
146
3.5
.67
139
4.0
.68
131
4.5
.68
123
5.0
.68
114
5.5
.71
103
6.0
.74
93
A model for this device is available in the DEVICE MODELS section.
S
21
Mag.
45.38
13.45
6.90
4.67
3.52
2.89
2.39
2.07
1.81
1.62
1.48
1.34
1.21
S
12
Mag.
.010
.023
.034
.048
.064
.075
.088
.102
.117
.138
.152
.171
.188
S
22
dB
33.1
22.6
16.8
13.4
10.9
9.2
7.6
6.3
5.2
4.2
3.4
2.5
1.7
Ang.
137
95
79
68
59
54
45
37
28
19
10
1
-8
dB
-40.1
-32.8
-29.5
-26.4
-23.9
-22.5
-21.2
-19.8
-18.6
-17.2
-16.4
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Ang.
66
52
61
68
66
68
69
67
65
60
56
50
46
Mag.
.76
.38
.34
.32
.31
.31
.30
.31
.33
.35
.35
.34
.31
Ang.
-26
-30
-28
-31
-36
-40
-48
-58
-67
-73
-79
-85
-96
AT-42085 Noise Parameters:
V
CE
= 8 V, I
C
= 10 mA
Freq.
GHz
0.1
0.5
1.0
2.0
4.0
NF
O
dB
1.1
1.2
1.3
2.0
3.5
Γ
opt
Mag
.05
.06
.10
.24
.46
Ang
16
77
131
-179
-128
R
N
/50
0.13
0.13
0.12
0.11
0.25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-42086 | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor |
| AT-42086-BLK | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor |
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| AT-MPW-SYS(UK) | ENTWICKLUNGSWERKZEUG |
| AT-S5007 | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT-42085G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| AT42086 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80MA I(C) | FO-163 |
| AT-42086 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor |
| AT-42086-BLK | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor |
| AT-42086-BLKG | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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