参数资料
型号: AT-42086-TR1
英文描述: Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
中文描述: 到6 GHz中等功率硅双极晶体管
文件页数: 3/5页
文件大小: 55K
代理商: AT-42086-TR1
4-176
AT-42086 Typical Performance, T
A
= 25
°
C
FREQUENCY (GHz)
Figure 3. Insertion Power Gain,
Maximum Available Gain and
Maximum Stable Gain vs. Frequency.
V
CE
= 8 V, I
C
= 35 mA.
G
0.1
0.5
0.3
1.0
3.0
6.0
I
C
(mA)
Figure 1. Output Power and 1 dB
Compressed Gain vs. Collector
Current and Frequency. V
CE
= 8 V.
24
20
16
12
8
4
G
1
P
1
0
10
20
30
40
50
P
1dB
G
1dB
2.0 GHz
2.0 GHz
4.0 GHz
4.0 GHz
40
35
30
25
20
15
10
5
0
MSG
MAG
|S
21E
|
2
I
C
(mA)
Figure 2. Insertion Power Gain vs.
Collector Current and Frequency.
V
CE
= 8 V.
20
16
12
8
4
0
|
2
|
2
0
10
20
30
40
50
1.0 GHz
2.0 GHz
4.0 GHz
FREQUENCY (GHz)
Figure 4. Noise Figure and Associated
Gain vs. Frequency.
V
CE
= 8 V, I
C
= 10mA.
G
24
21
18
15
12
9
6
3
0
4
3
2
1
0
N
O
0.5
2.0
1.0
3.0
4.0 5.0
G
A
NF
O
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