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参数资料
| 型号： | AT25DF321-SU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 2/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 32M（16384 页 x 256 字节） |
| 速度： | 70MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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The AT25DF321 also offers a sophisticated method for protecting individual sectors against
erroneous or malicious program and erase operations. By providing the ability to individually pro-
tect and unprotect sectors, a system can unprotect a specific sector to modify its contents while
keeping the remaining sectors of the memory array securely protected. This is useful in applica-
tions where program code is patched or updated on a subroutine or module basis, or in
applications where data storage segments need to be modified without running the risk of errant
modifications to the program code segments. In addition to individual sector protection capabili-
ties, the AT25DF321 incorporates Global Protect and Global Unprotect features that allow the
entire memory array to be either protected or unprotected all at once. This reduces overhead
during the manufacturing process since sectors do not have to be unprotected one-by-one prior
to initial programming.
Specifically designed for use in 3-volt systems, the AT25DF321 supports read, program, and
erase operations with a supply voltage range of 2.7V to 3.6V. No separate voltage is required for
programming and erasing.
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AT25DF321
3669B–DFLASH–6/09
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| AT25DF512C-MAHN-Y | 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:托盘 零件状态:停产 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:490 |
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