参数资料
| 型号： | AT28HC256E-90SU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 13/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 90NS 28SOIC |
| 标准包装： | 23 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
AT28HC256
27. Ordering Information
27.1
27.1.1
t ACC
Military Dual Marked Package
AT28HC256
I CC (mA)
(ns)
Active
Standby
Ordering Code
Package
Operation Range
AT28HC256-90DM/883
5962-88634 03 XX
28D6
90
120
80
80
0.3
0.3
AT28HC256-90FM/883
5962-88634 03 ZX
AT28HC256-90LM/883
5962-88634 03 YX
AT28HC256-90UM/883
5962-88634 03 UX
AT28HC256-12DM/883
5962-88634 01 XX
AT28HC256-12FM/883
5962-88634 01 ZX
AT28HC256-12LM/883
5962-88634 01 YX
28F
32L
28U
28D6
28F
32L
Military/883C
Class B, Fully Compliant
(-55 ° C to 125 ° C)
AT28HC256-12UM/883
5962-88634 01 UX
Package Type
28U
28D6
28F
32L
28U
Blank
E
F
28-lead, 0.600" Wide, Non-windowed, Ceramic Dual Inline Package (Cerdip)
28-lead, Non-windowed, Ceramic Bottom-brazed Flat Package (Flatpack)
32-pad, Non-windowed, Ceramic Leadless Chip Carrier (LCC)
28-pin, Ceramic Pin Grid Array (PGA)
Options
Standard Device: Endurance = 10K Write Cycles; Write Time = 10 ms
High Endurance Option: Endurance = 100K Write Cycles
Fast Write Option: Write Time = 3 ms
13
0007N–PEEPR–9/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| AT28HC256-90SU | IC EEPROM 256KBIT 90NS 28SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT28HC256E-90SU-T | 功能描述:90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:256Kb （32K x 8） 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:28-SOIC 标准包装:1 |
| AT28HC256E-90TC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28HC256E-90TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28HC256E-90TU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28HC256E-90TU-T | 功能描述:90NS, TSOP, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:256Kb （32K x 8） 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标准包装:1 |
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