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参数资料
| 型号： | AT28HC64B-120 |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 64K的8K的× 8电池电压的CMOS E2PROM的 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | AT28HC64B-120 |
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
Write Cycle Time
10
ms
Address Set-up Time
0
ns
Address Hold Time
50
ns
Data Set-up Time
50
ns
Data Hold Time
0
ns
Write Pulse Width
100
ns
μ
s
ns
Byte Load Cycle Time
150
Write Pulse Width High
50
Page Mode Characteristics
Chip Erase Waveforms
t
S
= t
H
= 5
μ
sec (min.)
t
W
= 10 msec (min.)
V
H
= 12.0V
±
0.5V
Page Mode Write Waveforms
(1, 2)
Notes: 1. A6 through A12 must specify the same page address during each high to low transition of WE (or CE).
2. OE must be high only when WE and CE are both low.
AT28HC64B
2-273
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AT28HC64B-12JI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1M 5V SDP- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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