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参数资料
| 型号： | AT28HC64B-12SI |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28 |
| 封装： | 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 661K |
| 代理商： | AT28HC64B-12SI |
AT28HC64B-55
AT28HC64B-70
AT28HC64B-90 AT28HC64B-120
Symbol Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t
ACC
t
CE (1)
t
OE (2)
t
DF
(3, 4)
t
OH
Address to Output Delay
55
70
90
120
ns
CE to Output Delay
55
70
90
120
ns
OE to Output Delay
0
30
0
35
0
40
0
50
ns
OE to Output Float
0
30
0
35
0
40
0
50
ns
Output Hold
0
0
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE, whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 5ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
C
OUT
4
6
pF
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
8
12
pF
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28HC64B
2-271
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PDF描述 |
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参数描述 |
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