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参数资料
| 型号： | AT28LV010-20JI |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32 |
| 封装： | PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | AT28LV010-20JI |
AT28LV010-20
AT28LV010-25
Symbol
t
ACC
t
CE (1)
t
OE (2)
t
DF
(3, 4)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred
first
Min
Max
Min
Max
Units
ns
ns
ns
ns
200
200
80
55
250
250
100
60
0
0
0
0
t
OH
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 5 ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
C
IN
C
OUT
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28LV010
2-159
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AT28LV010-20JU-235 | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:1Mb （128K x 8） 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:200ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC 标准包装:1 |
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