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参数资料
| 型号： | AT28LV010 |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 64K的8K的× 8电池电压的CMOS E2PROM的 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | AT28LV010 |
AT28LV010-20
AT28LV010-25
Symbol
t
ACC
t
CE (1)
t
OE (2)
t
DF
(3, 4)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred
first
Min
Max
Min
Max
Units
ns
ns
ns
ns
200
200
80
55
250
250
100
60
0
0
0
0
t
OH
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 5 ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
C
IN
C
OUT
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28LV010
2-159
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AT28LV010-20JI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1M 3V SDP- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| AT28LV010-20JU | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1M 3V SDP - 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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