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参数资料
| 型号： | AT29C040A |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 512K x 8 5-volt Only 256-Byte Sector Flash Memory(512K x 8 5V 256字节扇区闪速存储器) |
| 中文描述： | 为512k × 8 5伏只有256字节的扇区闪存（为512k × 8 5V的256字节扇区闪速存储器） |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | AT29C040A |
AT29C040A
5
AC Read Waveforms
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1.
2.
CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (CL = 5 pF).
This parameter is characterized and is not 100% tested.
Input Test Waveforms and
Measurement Level
3.
4.
Output Test Load
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT29C040A-12
AT29C040A-15
AT29C040A-20
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ACC
Address to Output Delay
120
150
200
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
120
150
200
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
50
0
70
0
80
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to Output Float
0
30
0
40
0
50
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred first
0
0
0
ns
t
R
, t
F
< 5 ns
Pin Capacitance
f = 1 MHz, T = 25°C
(1)
Symbol
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
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