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参数资料
| 型号： | AT45DB011B-XC |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1-MEGABIT 2.7 VOLT ONLY DATA FLASH |
| 中文描述： | 1M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO14 |
| 封装： | 4.40 MM, PLASTIC, MO-153AB-1, TSSOP-14 |
| 文件页数： | 13/32页 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | AT45DB011B-XC |
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13
AT45DB011B
1984H–DFLSH–10/04
Note:
1. I
cc1
during a buffer read is 20mA maximum.
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
I
SB
Standby Current
CS, RESET, WP = V
IH
, all inputs at
CMOS levels
2
10
μA
I
CC1
(1)
Active Current, Read Operation
f = 20 MHz; I
OUT
= 0 mA; V
CC
= 3.6V
4
10
mA
I
CC2
Active Current, Program/Erase
Operation
V
CC
= 3.6V
10
25
mA
I
LI
Input Load Current
V
IN
= CMOS levels
1
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
I/O
= CMOS levels
1
μA
V
IL
Input Low Voltage
0.6
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.6 mA; V
CC
= 2.7V
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -100 μA
V
CC
- 0.2V
V
AC Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
f
SCK
SCK Frequency
20
MHz
f
CAR
SCK Frequency for Continuous Array Read
20
MHz
t
WH
SCK High Time
22
ns
t
WL
SCK Low Time
22
ns
t
CS
Minimum CS High Time
250
ns
t
CSS
CS Setup Time
250
ns
t
CSH
CS Hold Time
250
ns
t
CSB
CS High to RDY/BUSY Low
200
ns
t
SU
Data In Setup Time
5
ns
t
H
Data In Hold Time
10
ns
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
DIS
Output Disable Time
18
ns
t
V
Output Valid
20
ns
t
XFR
Page to Buffer Transfer/Compare Time
120
200
μs
t
EP
Page Erase and Programming Time
10
20
ms
t
P
Page Programming Time
7
15
ms
t
PE
Page Erase Time
6
10
ms
t
BE
Block Erase Time
7
15
ms
t
RST
RESET Pulse Width
10
μs
t
REC
RESET Recovery Time
1
μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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