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参数资料
| 型号： | AT49BV002N-12VI |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 2-Megabit 256K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 14 MM, VSOP-32 |
| 文件页数： | 10/20页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | AT49BV002N-12VI |
AT49BV/LV002(N)(T)
10
Notes:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
2. See t
OE
spec in AC Read Characteristics.
DATA Polling Waveforms
Notes:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
2. See t
OE
spec in AC Read Characteristics.
Toggle Bit Waveforms
(1)(2)(3)
Notes:
1.
Toggling either OE or CE or both OE and CE will operate toggle bit.
The t
OEHP
specification must be met by the toggling input(s).
Beginning and ending state of I/O6 will vary.
Any address location may be used but the address should not vary.
2.
3.
Data Polling Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
DH
Data Hold Time
10
ns
t
OEH
OE Hold Time
10
ns
t
OE
OE to Output Delay
(2)
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
ns
HIGH Z
An
An
An
An
An
WE
CE
OE
I/O7
A0-A17
t
OEH
t
OE
t
DH
t
WR
Toggle Bit Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
DH
Data Hold Time
10
ns
t
OEH
OE Hold Time
10
ns
t
OE
OE to Output Delay
(2)
ns
t
OEHP
OE High Pulse
150
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
ns
WE
CE
OE
I/O6
t
OEH
HIGH Z
t
DH
t
OE
t
WR
t
OEHP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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