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参数资料
| 型号： | AT49F002T |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 2-Megabit 5-volt Only CMOS Flash Memory(2M位 5V CMOS闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位5伏只有闪存的CMOS（200万位5V的CMOS闪速存储器） |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | AT49F002T |
AT49F002(N)T
7
Input Test Waveform and Measurement Level
t
R
, t
F
< 5 ns
AC Read Characteristics
AT49F002(N)T-55
AT49F002(N)T-70
Units
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
t
ACC
t
CE(1)
t
OE(2)
t
DF(3)(4)
Address to Output Delay
55
70
ns
CE to Output Delay
55
70
ns
OE to Output Delay
0
30
0
35
ns
CE or OE to Output Float
0
25
0
25
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or Address,
whichever occurred first
0
0
ns
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
AC Read Waveforms
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1.
2.
CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address
change without impact on t
ACC
.
t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (CL = 5 pF).
This parameter is characterized and is not 100% tested.
3.
4.
ADDRESS
OUTPUT
VALID
HIGH Z
OUTPUT
OE
CE
t
ACC
t
OE
t
DF
t
OH
t
CE
ADDRESS VALID
Output Load Test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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