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参数资料
| 型号： | AT49F002T |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 2-Megabit 5-volt Only CMOS Flash Memory(2M位 5V CMOS闪速存储器) |
| 中文描述： | 2兆位5伏只有闪存的CMOS（200万位5V的CMOS闪速存储器） |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | AT49F002T |
AT49F002(N)T
9
Program Cycle Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
BP
Byte Programming Time
10
50
μ
s
t
AS
Address Set-up Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
50
ns
t
DS
Data Set-up Time
50
ns
t
DH
Data Hold Time
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
90
ns
t
WPH
Write Pulse Width High
90
ns
t
EC
Program Cycle Waveforms
Erase Cycle Time
10
seconds
Sector or Chip Erase Cycle Waveforms
Notes:
1.
2.
OE must be high only when WE and CE are both low.
For chip erase, the address should be 5555. For sector erase, the address depends on what sector is to be erased. (See
note 4 under command definitions.)
For chip erase, the data should be 10H, and for sector erase, the data should be 30H.
3.
OE
(1)
AA
80
Note 3
55
55
5555
5555
Note 2
AA
BYTE 0
BYTE 1
BYTE 2
BYTE 3
BYTE 4
BYTE 5
2AAA
2AAA
t
WPH
t
WP
CE
WE
AO - A17
DATA
t
AS
t
AH
t
EC
t
DH
t
DS
5555
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT49F002 | 2-Megabit 256K x 8 5-volt Only Flash Memory |
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