参数资料
| 型号： | AT89C51AC3-RLTIM |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 117/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU FLASH 64K 44VQFP |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | 89C |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 60MHz |
| 连通性： | UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 36 |
| 程序存储器容量： | 64KB（64K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 2K x 8 |
| RAM 容量： | 2.25K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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dsPIC33FJXXXGPX06/X08/X10
DS70286C-page 76
2009 Microchip Technology Inc.
EXAMPLE 5-2:
LOADING THE WRITE BUFFERS
EXAMPLE 5-3:
INITIATING A PROGRAMMING SEQUENCE
; Set up NVMCON for row programming operations
MOV
#0x4001, W0
;
MOV
W0, NVMCON
; Initialize NVMCON
; Set up a pointer to the first program memory location to be written
; program memory selected, and writes enabled
MOV
#0x0000, W0
;
MOV
W0, TBLPAG
; Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#0x6000, W0
; An example program memory address
; Perform the TBLWT instructions to write the latches
; 0th_program_word
MOV
#LOW_WORD_0, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_0, W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
; 1st_program_word
MOV
#LOW_WORD_1, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_1, W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
;
2nd_program_word
MOV
#LOW_WORD_2, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_2, W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
; 63rd_program_word
MOV
#LOW_WORD_31, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_31, W3
;
TBLWTL
W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH
W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55, W0
MOV
W0, NVMKEY
; Write the 55 key
MOV
#0xAA, W1
;
MOV
W1, NVMKEY
; Write the AA key
BSET
NVMCON, #WR
; Start the erase sequence
NOP
; Insert two NOPs after the
NOP
; erase command is asserted
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT89C51AC3-RLTUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU C51AC3 64K FLASHADC EEP 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT89C51AC3-S3SIM | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Enhanced 8-bit Microcontroller with 64KB Flash Memory |
| AT89C51AC3-S3SUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 64K FLASHADC EEP ind 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT89C51AC3-SLSIM | 功能描述:IC 8051 MCU FLASH 64K 44PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 标准包装:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心处理器:AVR 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外围设备:欠压检测/复位，POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:16 程序存储器容量:8KB（4K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 包装:带卷 (TR) |
| AT89C51AC3-SLSUM | 功能描述:8位微控制器 -MCU C51AC3 64K FLASHADC EEP 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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