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参数资料
| 型号： | AT89C51RC2 |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | Hex Inverter 14-TVSOP -40 to 125 |
| 中文描述： | 8位微控制器具有16K / 32K字节闪存 |
| 文件页数： | 16/24页 |
| 文件大小： | 1379K |
| 代理商： | AT89C51RC2 |
AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack
4.3.4.3 Cell Read Disturb
Purpose:
To measure read disturb influence on 56k8 memory cell.
Test parameters:
Lot:
0t0348
Programming: 14V on WL and sensegate @5ms
Temperature: 25°C and 140°C
The cell is stressed with BL voltage much higher than standard read conditions (around 6V) to accelerate disturb
phenomenon : electrons from the Floating gate can move through the tunnel oxide. This charge loss is measured
after stress by a Vt measurement.
Test results:
0t0348 #01 56.8k (568A6)
BL read disturb @25C
16 Rev. 0 – 2003 July
Conclusion:
Extrapolation to 10 years lifetime give a maximum BL voltage of around 4V in read operation, which is much higher
than nominal BL read voltage (~1V). So there is no sensitivity to read disturb either at room temperature or high
temperature.
0t0348 #01 56.8k (568A6)
BL read disturb @140C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.1
1
10
100
1000
10000
Time (s)
D
Vbl=6V
Vbl=6.5V
Vbl=7V
Vbl=7.5V
Vbl=8V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.1
1
10
100
1000
10000
Time (s)
D
Vbl=6V
Vbl=6.5V
Vbl=7V
Vbl=7.5V
Vbl=8V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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