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参数资料
| 型号： | AT90PWM1-16SU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 11/90页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 8K FLASH 16MHZ 24-SOIC |
| 产品培训模块： | MCU Product Line Introduction megaAVR Introduction |
| 标准包装： | 1,116 |
| 系列： | AVR® 90PWM 照明 |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | SPI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 19 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 512 x 8 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | ATSTK600-RC19-ND - STK600 ROUTING CARD AVR ATSTK600-SOIC-ND - STK600 SOCKET/ADAPTER FOR SOIC |
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19
4378C–AVR–09/08
AT90PWM1
Figure 3. On-chip Data SRAM Access Cycles
6.3
EEPROM Data Memory
The AT90PWM1 contains 512 bytes of data EEPROM memory. It is organized as a separate
data space, in which single bytes can be read and written. The EEPROM has an endurance of at
least 100,000 write/erase cycles. The access between the EEPROM and the CPU is described
in the following, specifying the EEPROM Address Registers, the EEPROM Data Register, and
the EEPROM Control Register.
For a detailed description of SPI and Parallel data downloading to the EEPROM, see “Serial
mands” on page 223 respectively.
6.3.1
EEPROM Read/Write Access
The EEPROM Access Registers are accessible in the I/O space.
The write access time for the EEPROM is given in Table 2. A self-timing function, however, lets
the user software detect when the next byte can be written. If the user code contains instructions
that write the EEPROM, some precautions must be taken. In heavily filtered power supplies, V
CC
is likely to rise or fall slowly on power-up/down. This causes the device for some period of time to
run at a voltage lower than specified as minimum for the clock frequency used. For details on
how to avoid problems in these situations seeSee “Preventing EEPROM Corruption” on page
In order to prevent unintentional EEPROM writes, a specific write procedure must be followed.
Refer to the description of the EEPROM Control Register for details on this.
When the EEPROM is read, the CPU is halted for four clock cycles before the next instruction is
executed. When the EEPROM is written, the CPU is halted for two clock cycles before the next
instruction is executed.
6.3.2
The EEPROM Address Registers – EEARH and EEARL
clk
WR
RD
Data
Address
Address valid
T1
T2
T3
Compute Address
Read
Wr
ite
CPU
Memory Access Instruction
Next Instruction
Bit
15
14
13
12
11
10
9
8
–
EEAR8
EEARH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J0Y-IX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W |
| AT89LP828-20AU | MCU 8051 8K FLASH SPI 32TQFP |
| VI-J0X-IY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W |
| VI-JTL-IX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W |
| AT89LP828-20MH | MCU 8051 8K FLASH SPI 32VQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT90PWM161-16MN | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16 MHz, QFN, 105oC, Green, RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT90PWM161-16MNR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16 MHz, QFN, 105oC, Green, T&R RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT90PWM161-16SN | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16 MHz, SOIC, 105oC, Green RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT90PWM161-16SNR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 16 MHz,SOIC,105oC, Green, T&R RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| AT90PWM161OS-16MNR | 功能描述:IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32QFN 制造商:microchip technology 系列:AVR? 90PWM 照明 零件状态:在售 核心处理器:AVR 核心尺寸:8-位 速度:16MHz 连接性:SPI 外设:欠压检测/复位，POR，PWM，WDT I/O 数:20 程序存储容量:16KB（16K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:512 x 8 RAM 容量:1K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b， D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 标准包装:5,000 |
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