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参数资料
| 型号： | ATF-511P8-TR1G |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | ATF-511P8-TR1G |
7
ATF-511P8 Typical Performance Curves, continued (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5V, 200 mA
Note:
Bias current for the above charts are quiescent
conditions. Actual level may increase or
decrease depending on amount of RF drive.
Idq (mA)
Figure 26. PAE vs. I
dq and VDS at 2 GHz.
PAE
(%)
50
40
30
20
10
0
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
Idq (mA)
Figure 27. PAE vs. I
dq and VDS at 900 MHz.
PAE
(%)
50
70
60
50
40
30
20
10
550
150
350
450
250
4.5 V
4 V
3 V
FREQUENCY (GHz)
Figure 28. OIP3 vs. Temp and Freq.
OIP3
(dBm)
0.5
45
40
35
30
25
20
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 29. P1dB vs. Temp and Freq.
P1dB
(dBm)
0.5
40
35
30
25
20
15
10
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 30. Gain vs. Temp and Freq.
GAIN
(dB)
0.5
20
15
10
5
0
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
FREQUENCY (GHz)
Figure 31. PAE vs. Temp and Freq.
PAE
(%)
0.5
70
60
50
40
30
20
10
0
4
1
2
2.5
1.5
3
3.5
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
-40
°C
25
°C
85
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-511P8-TR2 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-52189-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-52189-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-511P8-TR2 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-52189-BLK | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-52189-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-52189-TR2 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-521P8 | 制造商:AVAGO 制造商全称:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package |
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