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参数资料
型号： ATF-511P8-TR2
元件分类： 功率晶体管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8
文件页数： 4/16页
文件大小： 447K
代理商： ATF-511P8-TR2
12
ATF-511P8 Typical Scattering Parameters,
VDS = 3V, IDS = 200 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.95
-137.1
29.51
29.89
109.9
-36.88
0.01
25.2
0.78
-166.0
33.29
0.2
0.94
-159.0
23.89
15.65
98.7
-36.27
0.01
19.8
0.81
-174.5
30.18
0.3
0.94
-167.3
20.46
10.54
93.8
-36.20
0.01
18.0
0.82
-177.6
28.47
0.4
0.94
-172.0
18.04
7.98
90.7
-35.82
0.01
20.5
0.83
179.4
26.98
0.5
0.93
-175.3
16.10
6.38
88.7
-35.59
0.01
22.4
0.83
177.6
25.75
0.6
0.93
-176.8
15.36
5.86
85.9
-34.34
0.01
24.0
0.81
176.3
24.89
0.7
0.93
-178.7
14.14
5.09
84.2
-34.27
0.01
24.8
0.81
174.6
24.28
0.8
0.93
179.1
12.87
4.4
82.6
-34.12
0.02
27.1
0.81
173.1
23.42
0.9
0.93
177.3
11.82
3.89
80.6
-33.66
0.02
29.1
0.81
171.7
22.69
1
0.93
176.1
10.91
3.51
78.9
-33.55
0.02
29.3
0.81
170.7
22.23
1.5
0.93
169.4
7.24
2.30
71.8
-31.97
0.02
35.4
0.81
164.6
19.64
2
0.93
164.0
4.75
1.72
64.7
-30.60
0.03
38.5
0.81
158.5
16.34
2.5
0.93
159.1
2.73
1.36
58.5
-29.39
0.03
38.5
0.81
153.4
14.08
3
0.92
154.0
0.93
1.11
51.6
-28.15
0.03
37.4
0.80
147.6
11.72
4
0.93
144.8
-1.58
0.83
38.7
-26.26
0.04
33.1
0.78
135.8
9.24
5
0.92
135.2
-3.78
0.64
27.3
-24.91
0.05
27.7
0.74
125.0
6.28
6
0.93
126.0
-5.54
0.52
17.2
-24.05
0.06
22.1
0.68
115.6
4.39
7
0.91
116.6
-7.07
0.44
10.5
-23.11
0.07
17.2
0.63
110.7
1.96
8
0.91
107.4
-7.66
0.41
2.06
-22.08
0.07
12.1
0.62
106.3
1.32
9
0.90
98.4
-8.06
0.39
-5.6
-21.04
0.08
5.0
0.63
99.5
0.60
10
0.92
89.0
-8.99
0.35
-15.9
-20.23
0.09
-2.7
0.64
89.8
0.49
11
0.92
79.5
-9.12
0.35
-25.8
-19.45
0.10
-12.4
0.66
78.7
0.19
12
0.91
70.1
-9.28
0.34
-35.9
-19.08
0.11
-21.4
0.68
66.3
-0.19
13
0.91
61.9
-9.71
0.32
-39.9
-18.93
0.11
-29.2
0.69
56.4
-0.68
14
0.92
51.8
-10.04
0.31
-54.7
-18.89
0.11
-35.6
0.70
47.9
-0.40
15
0.88
44.1
-10.01
0.31
-59.8
-18.63
0.11
-40.7
0.72
39.0
-1.57
16
0.87
36.4
-10.16
0.31
-77.5
-18.83
0.11
-44.7
0.73
35.3
-1.85
17
0.83
30.1
-10.61
0.31
-87.2
-18.17
0.12
-51.2
0.74
27.7
-2.42
18
0.85
24.0
-11.96
0.25
-97.4
-17.69
0.13
-58.3
0.75
18.3
-3.71
Figure 36. MSG/MAG & |S21|
2 (dB)
@ 3V, 200 mA.
FREQUENCY (GHz)
40
30
20
10
0
-10
-20
0
5
10
15
20
MSG/MAG
&
|S21|
2
(dB)
S21
MAG
MSG
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip line
made on 0.025 inch thick alumina carrier. The
input reference plane is at the end of the gate
lead. The output reference plane is at the end
of the drain lead.
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PDF描述
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参数描述
ATF-52189-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-52189-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-52189-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-521P8 制造商:AVAGO 制造商全称:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package
ATF-521P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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