参数资料
| 型号： | ATMEGA8HVA-4TU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 77/196页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU AVR 8K FLASH 4MHZ 28-TSOP |
| 产品培训模块： | MCU Product Line Introduction megaAVR Introduction |
| 标准包装： | 234 |
| 系列： | AVR® ATmega |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 连通性： | SPI |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 7 |
| 程序存储器容量： | 8KB（4K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 9 V |
| 数据转换器： | A/D 5x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -20°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | ATSTK600-ND - DEV KIT FOR AVR/AVR32 ATSTK500-ND - PROGRAMMER AVR STARTER KIT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页当前第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页
168
8024A–AVR–04/08
ATmega8HVA/16HVA
Notes:
1. All DC Characteristics contained in this data sheet are based on simulation and characterization of other AVR microcontrol-
lers manufactured in the same process technology. These values are preliminary values representing design targets, and
will be updated after characterization of actual silicon.
2. Voltage Regulator performance is based on 220 nF fly capacitors and 2.2 F smooth capacitor.
3. After VREF calibration at a second temperature. By default the first calibration is performed at temperature T
HOT in Atmel
factory test. The value of THOT is stored in the signature row. The second calibration step can easily be implemented in a
standard test flow at room temperature.
4. The measured V
PTAT voltage must be scaled with the calibration value stored in the VPTAT Calibration Register to get the
absolute temperature. The specified value represents target accuracy after Atmel factory calibration. Accuracy can be fur-
ther improved by doing a system calibration measurement at a well-known temperature.
5. This value is not tested in production.
6. After software offset compensation, using the polarity switching (CADPOL) feature.
7. After scaling of VADC raw data using Gain and Offset Calibration values stored in Signature Row.
8. Actual offset for each channel stored in signature row can be used to remove this offset error.
9. If the cell input needs to be measured when PV1 is below 1.5V, Atmel can provide data that facilitates less accurate mea-
surements in this range.
10. Actual frequency measured at Atmel factory stored in signature row.
29.3
External Interrupt Characteristics
Coulomb
Counter
Reference Voltage
± 110
mV
Conversion Time
and Resolution(5)
26.9 V Resolution
3.9
ms
0.84 V Resolution
1000
ms
INL(5)
4LSB
CC-ADC Offset(5)(6)
2.5
± 15
LSB
Gain Error(3)
-100 mV < VPI - NI < 100 mV
± 0.1
± 1
%
Temperature
Sensor
V
PTAT, Voltage Proportional
to Absolute Temperature
0.67
mV/K
Absolute Accuracy(4)
Measured in Active mode
± 2
± 5
K
Slow RC
Oscillator(10)
Frequency
91
131
171
kHz
Frequency drift over
temperature(5)
1.5
%
Slow RC Frequency
predicion error(5)
1%
Ultra Low
Power RC
Oscillator(10)
Frequency
89
128
167
kHz
Frequency drift over
temperature(5)
6%
Table 29-1.
Electrical Characteristics
(1)(T
A = -10°C to 70°C unless otherwise specified) (Continued)
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Unit
Table 29-2.
Asynchronous External Interrupt Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
tINT
Minimum pulse width for asynchronous external
interrupt
50
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATSAM3N1BA-MU | MCU FLASH 64-QFN |
| 5221629-1 | CONN TERMINATR PLUG BNC 50OHM AU |
| ATMEGA644A-AU | IC MCU AVR 64K FLASH 44TQFP |
| 221629-1 | CONN TERMINATR PLUG BNC 50OHM AU |
| ATMEGA644A-MU | IC MCU AVR 64K FLASH 44VQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATMEGA8HVA-4TUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8KB FLSH 512B EE 1KB SRAM - 4 MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATMEGA8HVD-4MX | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8KB, 512B EE 4MHz 1KB SRAM 2.1-8V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATMEGA8L-8AC | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8K FLASH 512B EE 1K SRAM ADC 3V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATMEGA8L8AI | 制造商:Atmel Corporation 功能描述: |
| ATMEGA8L-8AI | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8K FLASH 512B EE 1K SRAM ADC 3V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。