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参数资料
| 型号： | ATP108-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.4 毫欧 @ 35A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3850pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1076-6 |
Ordering number : ENA1604A
ATP108
P-Channel Power MOSFET
–40V, –70A, 10.4m Ω , Single ATPAK
Features
http://onsemi.com
?
?
?
Low ON-resistance
Slim package
Halogen free compliance
?
?
?
Large current
4.5V drive
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--40
±20
--70
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
--210
60
150
--55 to +150
95
--35
A
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=--15V, L=100 μ H, IAV=--35A
* 2 L ≤ 100 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
ATP108-TL-H
Product & Package Information
? Package : ATPAK
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6.5
1.5
4.6
Packing Type: TL
Marking
2.6
4
0.4
0.4
ATP108
LOT No.
TL
Electrical Connection
4,2
1
2
3
0.55
0.8
0.6
0.4
1 : Gate
2.3
2.3
2 : Drain
1
3 : Source
4 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
ATPAK
3
61312 TKIM/N1109PA TKIM TC-00002147 No. A1604-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ATP203-TL-H | MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK |
| ATP204-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP10ASM | 功能描述:CRYSTAL 10.000 MHZ 20PF SMD RoHS:否 类别:晶体和振荡器 >> 晶体 系列:ATP-SM 标准包装:1 系列:ABLS2 类型:MHz 晶体 频率:3.579545MHz 频率稳定性:±30ppm 频率公差:±30ppm 负载电容:18pF ESR（等效串联电阻）:180 欧姆 工作模式:基谐 工作温度:-40°C ~ 85°C 额定值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:HC49/US 尺寸/尺寸:0.449" L x 0.185" W（11.40mm x 4.70mm） 高度:0.130"（3.30mm） 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1683 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:535-9855-1 |
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| ATP112_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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