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参数资料
| 型号： | ATP206-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 20A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1630pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1081-6 |
ATP206
10
VGS -- Qg
3
ASO
10
0m
10
s
a i t
10 0 μ s
1m
9
8
7
6
5
4
VDS=20V
ID=40A
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
IDP=120A
ID=40A
s
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
DC
op
er
m
on
PW≤10μs
1
0 μ s
s
3
2
1.0
7
5
1
3
2
Tc=25 ° C
Single pulse
0.1
0
0
5
10
15
20
25
30
0.1
2 3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
45
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT14341
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14342
40
100
35
30
80
25
60
20
15
40
10
20
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14343
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1395-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP207-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK |
| ATP208-TL-H | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
| ATP212-TL-H | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
| ATP213-TL-H | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
| ATP214-TL-H | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP207 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP207_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP207-S-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片） 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 |
| ATP207-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP208 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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