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参数资料
| 型号： | ATP208-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 45A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 83nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1083-6 |
Ordering number : ENA1396A
ATP208
N-Channel Power MOSFET
40V, 90A, 6m Ω , Single ATPAK
Features
http://onsemi.com
?
?
?
Low ON-resistance
4.5V drive
Halogen free compliance
?
?
?
Large current
Slim package
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
40
±20
90
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
270
60
150
--55 to +150
155
45
A
W
° C
° C
mJ
A
Note : * 1 VDD=15V, L=100 μ H, IAV=45A
* 2 L ≤ 100 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
ATP208-TL-H
Product & Package Information
? Package : ATPAK
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6.5
1.5
4.6
Packing Type: TL
Marking
2.6
4
0.4
0.4
ATP208
LOT No.
TL
Electrical Connection
2,4
1
2
3
0.55
0.8
0.6
0.4
1 : Gate
2.3
2.3
2 : Drain
1
3 : Source
4 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
ATPAK
3
61312 TKIM/11409PA MS IM TC-00001776 No. A1396-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP212-TL-H | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
| ATP213-TL-H | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
| ATP214-TL-H | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
| ATP216-TL-H | MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK |
| ATP218-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP20ASM | 制造商:CTS Corporation 功能描述: |
| ATP20BSM | 制造商:CTS 制造商全称:CTS Corporation 功能描述:Surface Mount Quartz Crystal |
| ATP20DS-GCQ-T200 | 制造商:Crane Connectors 功能描述: |
| ATP20DS-GTB | 制造商:Crane Connectors 功能描述: |
| ATP212 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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