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参数资料
| 型号： | ATP208-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 45A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 83nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1083-6 |
ATP208
10
10
0m s
0 μ
μ s
10
9
8
7
6
VDS=20V
ID=90A
VGS -- Qg
5
3
2
100
7
5
3
2
IDP=270A
ID=90A
ASO
m
s
1m
s
PW ≤ 10 μ s
10
s
10
5
4
3
2
1
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single
0.1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.1
2
pulse
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
70
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT14330
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14331
60
100
50
80
40
60
30
40
20
10
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14332
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1396-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP212-TL-H | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
| ATP213-TL-H | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
| ATP214-TL-H | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
| ATP216-TL-H | MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK |
| ATP218-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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