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参数资料
| 型号： | ATP218-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 50A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP218
mm
Outline Drawing
ATP218-TL-H
Mass (g) Unit
0.266
* For reference
Land Pattern Example
6.5
1.5
Unit: mm
2.3
2.3
No.8970-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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