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参数资料
| 型号： | ATP301-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 869-1086-6 |
Ordering number : ENA1457A
ATP301
P-Channel Power MOSFET
–100V, –28A, 75m Ω , ATPAK
Features
http://onsemi.com
?
?
ON-resistance RDS(on)=57m Ω (typ.)
10V drive
?
?
Input capacitance Ciss=4000pF (typ.)
Halogen free compliance
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--100
±20
--28
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
--112
70
150
--55 to +150
54
--28
A
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=--30V, L=100 μ H, IAV=--28A
* 2 L ≤ 100 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
ATP301-TL-H
Product & Package Information
? Package : ATPAK
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6.5
1.5
4.6
Packing Type: TL
Marking
2.6
4
0.4
0.4
ATP301
LOT No.
TL
Electrical Connection
2,4
1
2
3
0.55
0.8
0.6
0.4
1 : Gate
2.3
2.3
2 : Drain
1
3 : Source
4 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
ATPAK
3
62712 TKIM/42209QA MS IM TC-00001941 No. A1457-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP302-TL-H | MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK |
| ATP404-TL-H | MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK |
| ATP405-TL-H | MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK |
| ATP602-TL-H | MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK |
| ATP613-TL-H | MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP302 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP302_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP302-TL-H | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP304 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:P-Channel Power MOSFET -60V, -100A, 6.5m??, ATPAK |
| ATP304-TL-H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4.5V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P Chan, -60V, -100a, 6.5 mOhms @ -10V, ATPAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH 4.5V DRIVE SERIES |
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