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参数资料
| 型号： | ATP301-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 14A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 869-1086-6 |
ATP301
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= -- 100V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
--100
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS= -- 10V, ID= -- 1mA
VDS= -- 10V, ID= --14 A
--2.0
32
--3.5
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= -- 14A, VGS= -- 10V
VDS=--20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--60V, VGS=--10V, ID=--28A
IS=--28A, VGS=0V
57
4000
270
150
32
130
330
190
73
16
14
--1.0
75
--1.5
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
0V
--10V
VIN
VIN
VDD= --60V
ID= --14A
RL=4.3 Ω
≥ 50 Ω
RG
L
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
0V
--10V
50 Ω
ATP301
VDD
P.G
50 Ω
S
ATP301
Ordering Information
Device
ATP301-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1457-2/7
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