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参数资料
| 型号： | ATP302-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 35A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP302
0. --8.0
.0V
--140
--120
Tc=25°C
ID -- VDS
--1
0V V
--6
--4.
5V
--140
--120
VDS= --10V
ID -- VGS
--100
--80
--60
--40
--100
--80
--60
--40
--20
VGS= --3.0V
--20
0
0
--0.2 --0.4
--0.6 --0.8 --1.0 --1.2
--1.4 --1.6
--1.8 --2.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
40
35
RDS(on) -- VGS
IT15338
Single pulse
ID= --50A
30
25
RDS(on) -- Tc
IT15339
Single pulse
30
= --
V, I D
= --
= --3
V GS V, I D
= --1
25
20
15
10
5
Tc=75 ° C
25 ° C
--25 ° C
20
15
10
5
VGS
4.5 5A
0
35A
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
° C
5 °
--2
° C
Tc
5
5
5
5
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
=
| y fs | -- ID
25
C
75
IT15340
VDS= --10V
3
2
--100
7
3
2
--10
7
3
2
--1.0
7
3
2
--0.1
7
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15341
5
2
1.0
7
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
--0.01
7
3
2
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
2
1000
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15342
VDD= --36V
VGS= --10V
10000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15343
f=1MHz
7
5
td(off)
3
3
tf
2
2
1000
100
7
5
3
tr
td(on)
7
5
3
Coss
Crss
2
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT15344
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15345
No. A1654-3/7
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