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参数资料
| 型号： | ATP302-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 35A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP302
0 μ
1m
10
ms
0m
--10
--9
--8
--7
--6
VDS= --36V
ID= --70A
VGS -- Qg
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
IDP= --280A
ID= --70A
ASO
10
PW ≤ 10 μ s
10
s
s
s
10
μ s
--5
--4
--3
--2
--1
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
--0.1
2 3 5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
80
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT15346
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT15347
70
60
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15348
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1654-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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