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参数资料
| 型号： | ATP602-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 869-1089-6 |
ATP602
8
ID -- VDS
Tc=25°C
14
ID -- VGS
VDS=20V
7
12
6
10V
15V
8V
10
Tc= --25 ° C
5
4
7V
8
6
25 ° C
75 ° C
3
2
4
1
6V
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VGS=5V
18 20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
6
RDS(on) -- VGS
IT14900
ID=2.5A
6
RDS(on) -- Tc
IT14901
Single pulse
Single pulse
5
4
5
4
V GS
=2.
3
2
Tc=75 ° C
25 ° C
3
2
=
10
V, I D
5A
--25 ° C
1
1
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
-25
75 °
7
5
3
2
1.0
| y fs | -- ID
° C
25
° C
=-
Tc
C
IT14902
VDS=10V
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14903
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
2
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14904
VDD=200V
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14905
f=1MHz
3
VGS=10V
1000
2
7
5
Ciss
100
7
tf
3
2
5
3
2
10
td (o ff )
tr
td(on)
100
7
5
3
2
10
Coss
C rs s
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
7
0
10
20
30
40
50
60
Drain Current, ID -- A
IT14906
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14907
No. A1543-3/7
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