参数资料
型号: ATP602-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
产品目录绘图: ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 欧姆 @ 2.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 30V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 标准包装
其它名称: 869-1089-6
ATP602
μ s
0 μ
10
9
8
VDS=200V
ID=5A
VGS -- Qg
3
2
10
7
5
IDP=15A (PW≤10μs)
ID=5A
ASO
10
10
s
7
3
2
6
5
4
3
2
1
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
1.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
2 3 5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
7 1000
80
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT14908
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT16934
70
60
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14910
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1543-4/7
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