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参数资料
| 型号： | ATP613-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP613
12
10
ID -- VDS
Tc=25°C
15V
12
10
VDS=20V
ID -- VGS
25 ° C
10V
8
6
4
2
8V
7V
8
6
4
2
75 ° C
6V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
VGS=5V
16 18
20
0
0
2
4
6
8
10
12
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
RDS(on) -- VGS
IT16201
ID=2.75A
Single pulse
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
RDS(on) -- Tc
IT16202
Single pulse
V GS
I D=
2.5
2.0
1.5
Tc=75 ° C
25°C
2.5
2.0
1.5
=
1
0V,
2.
75A
1.0
0.5
--25 ° C
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14 15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
25 °
5 ° C
Tc=
75 °
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
C
--2
C
IT16203
VDS=10V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT16204
VGS=0V
Single pulse
0.1
7
5
3
2
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16205
VDD=200V
VGS=10V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT16206
f=1MHz
3
2
3
2
100
7
5
tf
td (off)
100
7
5
C o s
s
3
2
tr
td(on)
3
2
Crs
s
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT16207
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16208
No. A1903-3/7
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